每日經(jīng)濟新聞 2026-04-07 13:38:49
截至13:25,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏(588170)上漲0.76%,半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)上漲0.47%。
熱門個股方面,耐科裝備上漲7.47%,華興源創(chuàng)上漲7.03%,中巨芯上漲4.31%,新益昌上漲4.27%,有研硅上漲3.96%。
流動性方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏盤中換手4.23%,成交3.47億元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手2.18%,成交5449.53萬元。
規(guī)模方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏近1周規(guī)模增長3801.09萬元,實現(xiàn)顯著增長,新增規(guī)模領(lǐng)先同類;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏近2周規(guī)模增長1167.07萬元,實現(xiàn)顯著增長,新增規(guī)模領(lǐng)先同類。
資金流入方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏最新資金凈流出7281.03萬元。拉長時間看,近4個交易日內(nèi),合計”吸金”1.66億元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流入1358.23萬元。拉長時間看,近4個交易日內(nèi)有3日資金凈流入,合計“吸金”7565.93萬元,日均凈流入達1891.48萬元。
消息面上,三星電子已為平澤半導(dǎo)體生產(chǎn)基地P5晶圓廠集群的首個階段PH1訂購了70余臺光刻機,為該階段2027年的投運做好準備。平澤P5 PH1所需的這些光刻機來自ASML和佳能,其中約20臺為ASML的EUV曝光系統(tǒng)。P5 PH1將用于1c nm制程DRAM生產(chǎn),將同時制造通用內(nèi)存和HBM。
銀河證券認為,在外部環(huán)境背景下,供應(yīng)鏈安全與自主可控依舊是長期趨勢。設(shè)備與材料在國產(chǎn)替代頂層設(shè)計下邏輯最硬,數(shù)字芯片是算力自主的核心載體,先進封測受益于技術(shù)升級。
相關(guān)ETF:科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏(588170)及其聯(lián)接基金(A類:024417;C類:024418):跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導(dǎo)體設(shè)備主題指數(shù),其中先進封裝含量在全市場中最高(約50%),聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設(shè)備公司。
半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)及其聯(lián)接基金(A類:020356;C類:020357):跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù),其中半導(dǎo)體設(shè)備的含量在全市場指數(shù)中最高(約63%),直接受益于全球芯片漲價潮對“賣鏟人”(設(shè)備商)的確定性需求。
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三星半導(dǎo)體玻璃基板目標2027年實現(xiàn)量產(chǎn),科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)近4天合計“吸金”6.16億元,半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)近10天合計“吸金”2.08億元
2026年Q1 NAND閃存價格環(huán)比漲幅超40%,AI算力需求爆發(fā)帶動半導(dǎo)體設(shè)備、存儲賽道景氣度上行
三星電子或最早于本月第三周開始量產(chǎn)HBM4,高“設(shè)備”含量的科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)近1月規(guī)模增長33.84億元領(lǐng)先同類
中芯國際預(yù)計今年資本開支與2025年相比大致持平,高“設(shè)備”含量的科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)昨日資金凈流入1.17億元
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